10月18日，資本邦了解到，蘇州東微半導體股份有限公司(下稱“東微半導”)回復科創板二輪問詢。

圖片來源：上交所官網

在科創板二輪問詢中，上交所主要就東微半導主要產品市場空間、經銷收入、研發費用、高新技術企業資質和員工等八方面的問題。

關于主要產品市場空間，上交所要求發行人說明：(1)結合高壓超級結MOSFET和中低壓MOSFET產品市場規模的差距和增幅情況，以及目前發行人的產品結構，說明市場規模差距較大的原因，發行人選擇高壓超級結作為主要產品的合理性及其發展空間;(2)結合報告期內綜合毛利率低于同行業可比公司毛利率、上游晶圓價格變動影響的傳導及時性低等情況，說明發行人主要產品的市場競爭力如何體現，并對經營規模小、議價能力低、價格傳導及時性低、單一產品收入占比高等事項進行重大事項提示;(3)發行人MOSFET產品的下游應用領域情況，在主要應用領域的市場競爭格局，以及與同行業主要廠商相比公司競爭優劣勢的具體體現，并在招股說明書中作出針對性補充披露。

東微半導回復稱，MOSFET器件根據電壓平臺分類的規格較多，具體可分為12V/20V/25V/30V/40V/60V/80V/100V/120V/150V/200V/250V/300V/400V/500V/550V/600V/650V/700V/800V//900V等。其中，一般將高壓與中低壓的分界線定義為400V電壓平臺，即耐壓達到400V及以上的為高壓MOSFET，以下則為中低壓MOSFET。

因此，從電壓平臺的規格數量來看，耐壓平臺400V以下的中低壓MOSFET涵蓋的電壓平臺數量較高壓MOSFET更多，對應的市場規模相對較大。根據Omdia，2020年，全球高壓MOSFET的市場規模為18.0億美元，中低壓MOSFET的市場規模為52.4億美元;中國高壓MOSFET的市場規模為8.0億美元，中低壓MOSFET的市場規模為24.1億美元。

高壓超級結MOSFET產品的制造工藝更為復雜，主要包括多次外延和深溝槽外延兩種。在多次外延制造方法中，即使采用最為精簡的方法，也需要五次以上的外延、光刻、注入的循環工藝流程。當采用當前市面上最新一代的更低比導通電阻Rsp的超級結MOSFET多次外延制造技術時，比如英飛凌的P7系列超級結MOSFET，則需要10次以上的外延、光刻、注入工序，而且外延的濃度偏差和光刻的對偏都會對超級結MOSFET的制造良率造成不良影響，進一步提高了制造工藝的復雜度。當采用深溝槽外延工藝生產超級結MOSFET時，比如600V及650V高壓超級結MOSFET，外延厚度需要達到40微米以上，溝槽深度達到36微米以上。

相較而言，中低壓MOSFET中制造難度較大的屏蔽柵MOSFET的外延厚度通常在15微米以內，溝槽深度通常不超過10微米。綜上，高壓超級結MOSFET產品的制造工藝更為復雜，使得其產出相對不足，從而導致其市場規模較中低壓MOSFET小。

根據器件結構進一步分類，高壓MOSFET一般可分為高壓超級結MOSFET以及高壓平面MOSFET，其中超級結結構的性能更優，是更高性能的功率器件品類。根據Omdia數據，2020年全球高壓超級結MOSFET的市場規模約為9.4億美元，占全球高壓MOSFET的比例為52.35%;經估算2020年中國高壓超級結MOSFET的市場規模約為4.2億美元。盡管目前高壓超級結MOSFET的市場規模與中低壓MOSFET相比較小，但是高壓超級結MOSFET在包括新能源汽車、新能源汽車充電樁以及光伏等新興下游應用領域中逐漸普及，隨著該等應用領域的不斷發展與涌現，預計市場需求未來會持續穩定增長。

綜上所述，由于覆蓋電壓平臺數量以及制造工藝復雜程度的差異，高壓超級結MOSFET的市場規模相比中低壓MOSFET較小。此外，高壓超級結MOSFET為高壓MOSFET中的高性能細分領域，與中低壓MOSFET不屬于完全可比的類別，因此市場規模相對較小。隨著全球高壓超級結MOSFET的制造工藝逐漸成熟，以及高壓超級結MOSFET在新興應用領域中的逐漸普及，其市場規模將逐步增長。

與中低壓MOSFET相比，盡管高壓超級結MOSFET的市場規模相對較小，但是此市場具有產品性能與技術要求高、進入門檻高、下游客戶穩定、國內廠商布局相對較少以及更具市場發展潛力等特點。因此，發行人綜合考慮了市場發展機遇、自身的技術以及產品優勢以及行業發展趨勢等因素，選擇了以高壓超級結MOSFET領域作為市場切入點。

從市場競爭來看，無論是在全球還是中國市場，高壓超級結MOSFET的市場份額仍主要由國際廠商占據，國內功率器件廠商在此領域的布局相較國際廠商較為落后，國產化程度較低。在國產化替代的行業背景下，高壓超級結MOSFET市場是更具發展機遇的細分領域，發行人選擇該細分市場能夠發揮技術優勢，抓住國產化替代機遇，以更快地建立優質的客戶基礎，取得市場份額，實現高速發展。

根據Omdia數據，2020年全球高壓超級結MOSFET的市場規模預計為9.4億美元，并將于2024年達到10.0億美元;2020年度，公司在全球高壓超級結MOSFET市場的市場份額為3.8%。由于公司占全球高壓超級結MOSFET市場份額較小，鑒于公司高壓超級結產品的技術優勢以及市場競爭力，公司的高壓超級結MOSFET產品仍有很大的發展空間。

此外，國內的高壓超級結MOSFET市場也主要由國外廠商占據，整體上國內廠商在高壓超級結MOSFET市場的份額相對較小，例如新潔能在2019年中國高壓超級結MOSFET的市場占有率約為3.8%，龍騰半導體在2020年中國高壓超級結MOSFET的市場占有率約為1.6%。因此，公司可以充分受益于國際貿易摩擦大背景下的半導體國產化替代機遇，在未來獲取更大的市場份額。

除了市場占有率以外，國內在高端分立器件的研發實力和生產工藝等方面較國外廠家仍存在較大的差距，該部分產品主要由美國、歐洲和日本的企業所主導。

由于國外公司在核心技術、關鍵元器件、關鍵設備、品牌和銷售渠道等方面保持領先，國內銷售的高端半導體器件仍然主要依賴海外進口。因此，公司在高性能功率器件核心技術方面的技術優勢將是實現國產化替代的關鍵驅動力之一。

在高性能MOSFET產品的市場份額主要由國外廠商占據，以及國內廠商在關鍵技術等方面相對滯后的背景下，公司基于自身的技術優勢可以充分受益于國際貿易摩擦帶來的國產化替代機遇，未來有望不斷提高市場占有率，在與國外廠商的競爭中逐步形成自身的競爭優勢。

高壓超級結MOSFET功率器件可廣泛運用于各類終端領域，包括新能源汽車相關領域、5G基站電源及通信電源、數據中心服務器電源和工業照明電源，以及PC電源、適配器、TV電源板、手機快速充電器等消費電子應用領域。其中，新能源汽車、通信電源、大功率照明以及光伏逆變器等下游新興市場正處于高速發展期。

以新能源汽車領域為例，隨著汽車電動化、智能化、網聯化的變動趨勢，新能源汽車對高性能功率半導體器件的需求量不斷提高，汽車電子將迎來結構性變革，推動車規級功率器件快速發展。2020年11月國務院印發《新能源汽車產業發展規劃(2021-2035年)》，提出2025年新能源汽車新車銷售量達到汽車新車銷售總量的20%左右，年總銷量將達到500-600萬輛。

以2025年年總銷量600萬輛測算，未來5年新能源汽車新車銷售復合年均增長率為34%左右。同時，根據StrategyAnalytics分析，傳統燃料汽車中功率半導體芯片占汽車芯片的價值比例僅為21.0%，而純電動汽車中功率半導體芯片占汽車芯片的價值比例高達55%。

與傳統燃料汽車不同，每臺電動車都配備了需要多顆大電流規格高壓超級結MOSFET的車載充電機來對電池進行充電和放電，為高性能超級結MOSFET功率器件帶來了歷史性發展機遇。

在新能源汽車充電樁方面，2015年至2019年，全國公共充電樁的數量由5.8萬個增長至51.6萬個，復合年增長率達到了72.9%。預計隨著新能源汽車的滲透率不斷提高，未來新能源汽車充電樁的功率器件市場也將持續保持高速增長。

而在公共直流充電樁所需的工作功率和電流要求下，其采用的功率器件以高壓MOSFET為主。高壓超級結MOSFET因其更低的導通損耗和開關損耗、高可靠性、高功率密度成為主流的充電樁功率器件應用產品，具體應用于充電樁的功率因數校正(PowerFactorCorrection，“PFC”)、直流-直流變換器以及輔助電源模塊等。高壓超級結MOSFET的應用將充分受益于充電樁的快速建設。

在光伏應用方面，隨著光伏市場的政策引導與驅動，我國光伏發電裝機容量的增長與集中式電站、分布式光伏電站的規模擴張可直接推動光伏逆變器需求，其行業規模有望于2025年達到206億元，2020至2025年復合增長率達到24.8%。

高壓超級結MOSFET在高性能光伏微逆變器中被廣泛應用，預計也將充分受益于光伏市場的快速增長。

上述新興市場領域均對高性能MOSFET產品具有很強的需求，而作為高性能功率器件的代表性產品，高壓超級結MOSFET具有能耗低、速度快、功率密度高等特性及優勢，能夠滿足上述終端對性能的要求。因此，高壓超級結MOSFET在上述新興終端領域中有著結構性機遇，能充分受益于上述應用領域的快速增長，擁有較大的發展空間。

除高壓超級結MOSFET的發展機遇，基于在高壓超級結領域積累的技術優勢，公司可進一步拓展延伸至包括中低壓MOSFET產品在內的其他細分領域。

根據Omdia數據，2020年全球MOSFET分立器件的市場規模為73.9億美元，2020年中國MOSFET分立器件的市場規模為29.5億美元。從產品設計以及技術能力來看，公司未來能夠將產品拓展至MOSFET下屬的各個細分領域，進而受益于MOSFET整體市場的發展機遇。

關于研發費用，上交所要求發行人說明：(1)按照研發項目的人員配備、材料投入等說明研發費用的具體內容，研發費用率偏低的原因，研發費用投入是否與發行人的技術先進性匹配;(2)2021年上半年研發費用上漲較快、較去年全年持平的原因;(3)在研發費用率逐年下降、研發費用金額不高、與可比公司人員數量相比較少的情況下，人均收入高于同行業可比公司的合理性。

東微半導回復稱，發行人各研發項目中材料投入的具體內容均主要為晶圓、掩膜和MOSFET成品。報告期各期，發行人材料投入中晶圓、掩膜和MOSFET成品的占比均超過90%。

報告期內，隨著發行人經營規模的擴大、研發工作需求的增加，發行人研發投料不斷增加，與研發工作和技術發展需求具有匹配性。

由于研發過程的各個階段均產生研發投入，且不同階段并非均勻投入，如從物料投入來看，產品版圖設計、樣品晶圓試產、小批量晶圓制造以及小規模試產的物料投入相對較高，因此，晶圓在研數量與研發投入發生規模也并非簡單的線性對應關系。

從研發人員看，發行人的研發部由產品研發工程部、應用技術部組成，其中產品研發工程部由產品開發團隊和工程測試團隊組成。

產品研發工程部的工作貫穿于研發流程的整個環節，是研發工作的牽頭部門，其中產品開發團隊的工作主要集中在前中期的晶圓設計開發、樣品晶圓試產、接收工程測試團隊反饋的晶圓性能測試分析、小批量晶圓制造各項測試指標的反饋、依照測試結果調整晶圓設計或工藝參數等;工程測試團隊的工作主要集中在中后期的各項晶圓參數測試與可靠性驗證，并將異常指標反饋至產品開發團隊。

應用技術部的工作集中在后期的產品送樣及驗證上，包括產品送樣需求信息確認、產品送樣后的測試進展跟蹤、對客戶應用測試進行技術支持、針對不同電路應用場景研究功率器件的參數匹配等。應用技術部在與客戶進行交流的過程中，也會收集并整理相關的產品研發及調整的需求信息并反饋至產品研發工程部。

由于不同研發部門涉及的工作和精力投入有所側重，各類型研發人員的投入情況與研發工作的匹配分析具體如下：

從研發環節上看，產品開發團隊的工作主要集中在項目設計開發、樣品晶圓試產、晶圓性能測試分析、小批量晶圓制造等研發環節，所有在研晶圓的設計開發、測試反饋、參數調試等均需其參與。因此用在研晶圓數量與產品開發團隊人數進行匹配較具合理性。報告期內，發行人產品開發團隊分別為6人、7人、9人和10人，在研晶圓數量分別為121種、191種、248種和250種，產品開發團隊的人數隨在研晶圓數量的增加而增加。從工作能力和經驗上看，當新工藝平臺的研發任務數量和難度逐漸增加時，需要匹配更多有能力和經驗的產品開發人員。

報告期內，隨著研發項目啟動和進行數量的增加，發行人產品開發團隊人員持續增加，具有合理性。

由于工程測試團隊和應用技術部的工作主要集中在測試與驗證、小規模試產、客戶送樣等研發環節，其工作主要專注通過小批量晶圓制造環節前后的一系列工作，因此用通過小批量晶圓制造環節的晶圓數量與工程測試團隊和應用技術部人數進行匹配較具合理性。報告期內，發行人不斷有晶圓通過小批量晶圓制造環節，報告期各期通過小批量晶圓制造環節的晶圓數量分別為34種、21種、51種和22種。通過該環節后的晶圓需要相應的工程測試團隊和應用技術部支持推進后續工作，報告期內，發行人工程測試團隊和應用技術部合計分別為4人(另有3名勞務派遣人員支持應用技術部工作)、11人、15人和20人。總體上看，工程測試團隊和應用技術部的人數隨通過該環節的在研晶圓數量的增加而增加。

發行人的研發費用主要為員工薪酬及物料消耗，根據上述分析，發行人的研發費用整體上與在研晶圓數量的增長趨勢保持同步。與同為Fabless模式的同行業公司新潔能相比，發行人研發費用的構成(剔除股份支付后)整體較為可比。

報告期內，發行人及新潔能的研發費用均主要由職工薪酬、物料消耗及檢測加工費構成，發行人上述科目的合計占比(剔除股份支付后)分別為85.18%、86.09%、92.60%和88.25%，新潔能上述科目的合計占比分別為87.03%、92.56%、89.66%和69.94%。2021年1-6月，新潔能上述科目合計占比較低，主要系新潔能當期發生委托研發費用，剔除委托研發費用后，2021年1-6月新潔能上述科目合計占比為93.78%，與發行人較為可比。

從技術角度而言，相較于集成電路邏輯芯片，功率器件并非特別依賴和追求先進制程，產品競爭力主要由器件結構設計方面的技術創新能力決定。當一個創新的器件結構被成功開發后，可以被應用至相關的功率芯片平臺中，并通過改變芯片中并聯器件的數量來得到不同規格的芯片。因此，相較于邏輯芯片，功率器件產品在研發階段投片試產的成本相對較低，對應的研發費用較低。

此外，發行人研發人員規模較小，報告期各期發行人的研發人員數量分別為10人、18人、24人以及31人。因此，發行人計入研發費用的員工薪酬與發行人的研發人員規模也相匹配。發行人的核心技術集中于功率器件領域，尤其是高壓超級結MOSFET、中低壓屏蔽柵MOSFET以及IGBT等產品。在發展過程中，發行人集中優勢研發資源，研發出了多種具有技術先進性以及市場競爭力的功率器件結構，并以工業級應用領域為主要市場拓展方向。隨著發行人業務規模的迅速擴大，發行人擬拓展其在功率器件領域的研發廣度，包括新一代IGBT分立器件、高密度IGBT模塊以及第三代半導體材料功率器件等產品。預計未來發行人的研發費用將隨著發行人業務規模的擴大、產品線的豐富以及研發項目的多樣化而不斷提升。

綜上所述，發行人的研發費用投入與發行人的技術先進性相匹配。（墨 羽）