3月24日，資本邦了解到，有研半導體硅材料股份公司(下稱“有研硅”)回復科創板IPO首輪問詢。

圖片來源：上交所官網

在科創板IPO首輪問詢中，上交所主要關注有研硅控股股東、其他股東、參股公司、產品和市場空間、核心技術和市場地位、客戶、生產、固定資產和在建工程、毛利率、研發費用、募投項目等20個問題。

關于產品和市場空間，上交所要求發行人：(1)結合半導體區熔硅單晶產品銷售收入、研發和生產涉及的核心技術、產品先進性水平等，說明將半導體區熔硅單晶作為主要產品的合理性;(2)結合不同尺寸半導體硅拋光片的技術參數、應用領域差異等，說明下游市場范圍的重合情況和技術迭代關系;12英寸半導體拋光片的研發進展和產業化情況，12英寸產品是否代表未來發展趨勢;(3)下游應用市場銷售規模和客戶出貨量與發行人6英寸、8英寸半導體拋光片銷售收入變動情況的匹配關系;(4)刻蝕設備硅材料領域，公司主要銷售尺寸產品在技術發展和產品迭代趨勢中的具體地位;(5)發行人主要產品與國內外同類產品在關鍵性能指標上的對比情況，相關產品在市場競爭中的優劣勢;(6)發行人對主要產品的未來發展戰略規劃情況。

有研硅回復稱，區熔硅單晶是重要的半導體硅材料。直拉硅單晶在制造過程中多晶會與石英坩堝等物質接觸，而這正是單晶內金屬沾污及氧的主要來源。但區熔硅單晶在其制造過程中，硅多晶不會與除惰性保護氣體外的任何物質接觸，故區熔硅單晶具有高純度、高電阻率、低氧含量等優點，是制造高壓整流器和晶體管等大功率器件，探測器、傳感器等敏感器件，微波單片集成電路(MMIC)、微電子機械系統(MEMS)等高端微電子器件的核心材料，廣泛應用于雷達、微波通訊、測控、導航、醫學等領域，對國民經濟的發展和國防建設具有十分重要的意義。

報告期內，發行人半導體區熔硅單晶產品銷售收入分別為1,460.19萬元，928.97萬元，1,785.95萬元，1,395.89萬元，占主營業務收入的比例分別為2.13%、1.53%、3.47%和4.12%。報告期內半導體區熔硅單晶產品銷售收入占主營業務的收入比例不高，但國內具備半導體區熔硅單晶產品研發和生產能力的企業為數不多，除了發行人外，僅有中環領先半導體材料有限公司。

在我國，區熔產品目前市場需求較小，大部分國際市場份額被日本信越、日本Sumco、德國世創等國外企業占據，特別是在代表先進技術水平的大尺寸區熔硅單晶領域，目前還主要依賴進口。

有研硅是國內最早開展研制區熔硅單晶的骨干單位之一。從20世紀60年代起，有研硅相繼研制成功并批量生產銷售2-6英寸區熔硅單晶及硅片等產品。鑒于過去區熔產品國際國內市場規模小，公司在區熔產品相關的固定資產及研發投入均較低，使得區熔產品銷售規模處于較低水平。

近年來，隨著汽車電子、工業電子、物聯網等應用領域的快速發展，對區熔硅單晶及區熔硅拋光片的需求有明顯增加趨勢，為了滿足市場需求，公司加大了區熔產品的研發投入，并積極開拓市場，截至目前成效明顯。其中，6英寸區熔中照硅片產品、6英寸氣摻硅片產品于2021年分別通過了西安派瑞功率半導體變流技術股份有限公司、無錫中微晶圓電子有限公司的認證，開始批量供貨。2021年1-6月，公司半導體區熔硅單晶收入1,395.89萬元，與2020年全年1,785.95萬元相比已有較大幅度增長。公司預計未來幾年，區熔硅單晶產品銷售收入及利潤有望繼續上升。

公司在區熔硅單晶領域擁有多項核心關鍵技術，自主研發的超高純區熔硅單晶拉制技術、氣相摻雜區熔硅單晶拉制技術及自動放肩技術等處于國內領先水平，且均已應用于產品產業化，對國內區熔硅單晶的量產產生了積極影響。

其中，超高純區熔硅單晶拉制技術應用，使得區熔硅單晶產量增長明顯，由2018年的7.8噸提升到2021年的22.1噸;氣相摻雜區熔硅單晶拉制技術的應用使得氣摻區熔硅單晶占比大幅提升，由2018年的5.8%提升到2021年的48.1%;自動放肩技術的研發成功，使得5英寸及以上區熔硅單晶的占比由2018年的27%提升到2021年的59%。以上技術的開發和應用，增強了公司區熔產品的市場競爭力，拓展了市場渠道，為公司進一步發展區熔產品提供了有利支撐。

不同于直拉硅單晶產品，區熔硅單晶的技術有其特殊性，全球具備量產能力的企業只有少數幾家，包括德國的瓦克、丹麥的TOPSIL等，國內亦僅有中環股份、有研硅等少數企業。

區熔硅單晶制備的核心技術和難點主要體現在：(1)區熔硅單晶的生產方式決定了其實現全自動生長難度極大，對工程技術人員的熟練度有很高的要求;(2)區熔硅單晶產品主要用于高壓器件，對硅單晶的純度要求有很高的要求，區熔單晶生產過程中的原料準備、單晶拉制、后道加工等需要嚴格的潔凈管理，全過程沾污管控難度大;(3)區熔氣相摻雜方式決定了其摻雜濃度控制、摻雜均勻性控制難度更大，區熔氣摻產品的電阻率要實現較高程度的均勻性相對直拉產品難度大;(4)區熔單晶拉制過程中的加熱方式決定了其生產大直徑單晶難度極大，目前區熔國際上最大直徑為8英寸，而直拉方法可以做到18寸以上。

近年來，通過不斷對核心技術的研發投入，公司區熔硅單晶技術取得明顯進展，已經實現6英寸產品品種的全覆蓋，成為國內區熔硅單晶產品的重要供應商。與此同時，公司已經布局8英寸區熔硅單晶的研發和產業化，作為公司未來重要的產業方向，以滿足下游客戶的需求。公司本次發行的部分募集資金擬投入到位于北京市順義區的區熔硅單晶研發生產基地，提升區熔硅單晶技術能力，不斷滿足下游客戶的需求，公司半導體區熔硅單晶的銷售規模將會持續增加，因此將半導體區熔硅單晶作為主要產品具有合理性。

發行人參股公司(山東有研艾斯半導體材料有限公司)關于12英寸的研發工作持續開展，目前已完成28nm集成電路用硅拋光片的研發，具備1萬片/月的產能的供貨能力。與此同時，產業化的生產線已開始廠房建設及設備采購工作，預計2023年新工廠可以投入使用。

12英寸硅片經歷了技術突破到市場占有率逐漸上升，再到成為主流的演變過程。自2000年全球第一條12英寸芯片制造生產線建成以來，12英寸半導體硅片市場需求增加，出貨面積不斷上升。2008年，12英寸半導體硅片出貨量首次超過8英寸半導體硅片;2009年，12英寸半導體硅片出貨面積超過其他尺寸半導體硅片出貨面積之和。

2000年至2018年，由于移動通信、計算機等終端市場持續快速發展，12英寸半導體硅片市場份額從1.69%大幅提升至2018年的63.83%，成為半導體硅片市場最主流的產品。2016至2018年，由于人工智能、區塊鏈、云計算等新興終端市場的蓬勃發展，12英寸半導體硅片出貨面積年均復合增長率為8.36%。據SEMI統計，2020年，12英寸硅片和8英寸硅片市場份額分別為69.15%和23.94%，兩種尺寸硅片合計占比連續兩年超過90%。

全球集成電路先進制程芯片大部分在12英寸硅片襯底材料上制作，總體而言，12英寸硅片代表未來主流趨勢，但如前文所述，由于投資成本影響等因素，在大功率高電壓芯片產品、汽車電子、工業控制等領域，8英寸產品具備明顯優勢，并且下游對8英寸產品的需求總量仍處于增長態勢，8英寸產品占比也始終保持在25%以上的比例。在未來相當長的時間內8英寸與12英寸硅片將會一直共存。

關于研發費用，上交所要求發行人說明：(1)主要研發項目整體預算較高的原因，已實現的研發成果及未來擬實現研發目標;各研發項目的預算及實際支出情況，是否存在較大差異;RSTechnologies成為實際控制人后新增研發項目情況;(2)新產品及工藝技術研發中心人員的研發活動與生產活動如何劃分，研發工時如何進行統計及核算;研發人員的學歷、專業構成情況;公司研發活動的主要實施地點，報告期內生產基地搬遷對研發人員的影響;(3)報告期內材料費投入明細，2020年新增研發項目的具體情況;是否存在將研發過程產生的硅單晶棒等投入生產活動的情況;研發活動形成的廢料比較高是否與行業特征相符;(4)研發設備與生產設備是否能明確區分，是否存在研發活動與生產活動共用生產線的情況，相關設備工時的分攤情況及相關內控措施;水電費金額較大的原因，與生產活動水電費是否能區分。

有研硅回復稱，報告期內，發行人主要開展了“集成電路用硅單晶以及拋光片的研制和開發”、“集成電路刻蝕設備精密部件用硅材料的開發”、“大尺寸區熔晶體材料的開發”、“硅材料智能制造系統的開發與應用”和“硅材料標準樣品的研制及標準的建立”5個研發課題，其中，部分重點縱向科技項目或其他相對獨立的研發項目作為研發課題項下的子項目單列。發行人每年會根據發展戰略、行業變化、市場需求及各研發課題的進展情況，更新或設立新的研發內容或單列子項目，其中單列子項目的研發周期通常為1-2年，部分長周期的研發項目按照5年進行規劃。

當前，8英寸硅片技術不斷延伸并已進入90nm技術水平，集成電路刻蝕設備硅材料向滿足7nm及更先進制程發展，特殊應用場景不斷對產品提出新的需求，促使發行人必須加大研發投入以保持技術的先進性，不斷提升企業的核心競爭力。2020年，發行人啟動了“大直徑單晶研發”及“高品質8英寸輕摻硅片研發”單列子項目，兩個項目對技術延續要求較高，研發周期規劃為5年，由于整體研發周期長，涉及的研發領域廣，且為地方科技項目，因此整體預算較高，總體預算為2.4億元。

報告期內，發行人共開展了5個研發課題。報告期內，發行人開展的部分重點縱向科技項目及部分相對獨立的研發項目作為了上述研發課題項下的單列子項目。2020年，發行人啟動了縱向科技項目“大直徑單晶研發”及“高品質8英寸輕摻硅片研發”，總體預算合計2.4億元，研發周期5年，并作為“集成電路用硅單晶以及拋光片的研制和開發”及“集成電路刻蝕設備精密部件用硅材料的開發”課題下的單列子項目。截至2021年6月30日，該兩項單列子項目仍處于項目執行階段初期，執行時間較短，因此研發投入比例較低，導致發行人研發項目整體預算的投入比例較低。

扣除該兩項單列子項目的影響后，報告期內，發行人研發項目整體投入占比約為72.66%，不存在研發預算和投入金額差異較大的情況。

RSTechnologies成為實際控制人后，發行人基于現有核心技術、結合公司發展戰略、行業變化、市場需求及各研發課題的進展情況，開展了各項研發活動，新增研發項目主要用于提高直拉硅單晶生長、拋光片加工、刻蝕設備用硅材料加工以及區熔硅單晶生長的技術水平。截至2021年6月30日，發行人共新增研發預算34,703.22萬元，實際投入金額為10,923.36萬元。

公司生產基地搬遷前，半導體硅拋光片及刻蝕設備用硅材料的相關研發活動主要在北京市北太平莊生產基地開展，半導體區熔硅單晶的相關研發活動主要在北京市順義區生產基地實施。2020年底，公司將位于北京市北太平莊生產基地的半導體硅拋光片和刻蝕設備用硅材料產線搬遷至山東省德州市，因此自2021年起，公司半導體硅拋光片及刻蝕設備用硅材料的相關研發活動主要于山東德州生產基地實施，半導體區熔硅單晶的相關研發活動仍于北京市順義區生產基地開展。

公司生產基地搬遷未對公司研發人員穩定產生不利影響。公司新研發生產基地位于山東省德州市高鐵站附近，交通方便、周邊配套設施及環境良好;同時，新生產基地在設計、規劃、建設方面，均采取較高標準，廠區環境及配套生活設施齊全，配備更先進的研發生產設備，能夠為研發人員提供良好的生活及工作環境。因此大部分研發人員支持公司產業搬遷，遷至新生產基地從事研發工作，與公司共同發展，僅少數研發人員離職。同時公司在搬遷前后補充部分研發人員以擴大研發隊伍，保證了公司研發活動的持續穩定進行。

發行人不存在將研發過程中產生的硅單晶棒投入生產活動的情況。

報告期內，發行人研發費用中材料費占研發費用的比例處于可比公司的合理比例范圍內。2020年及2021年1-6月，發行人研發費中材料費的占比上升，主要系2020年公司生產基地搬遷至山東德州后，為增強產品競爭力，加大了特色產品及新工藝的研發力度，因此材料投入占比增加。

雖然發行人同行業可比公司未披露研發產生廢料占研發領料的比重情況，故無法進行直接對比，但經同行業內橫向比較可見，報告期內發行人研發費用中材料費領用比例與同行業可比公司基本一致，保持較高水平。因此，綜合考慮行業內高研發領料的現狀，發行人研發過程中形成廢料比例較高具有合理性，高研發領料符合行業特征。（陳蒙蒙）